Toshiba и Western Digital готовят 128-слойную память 3D NAND

Toshiba и Western Digital готовят 128-слойную память 3D NANDToshiba и Western Digital смогут предложить самую высокую в индустрии плотность чипа с 85-процентным выходом годных пластин.

Специалисты компаний Toshiba и Western Digital совместно разработали 128-слойные микросхемы флэш-памяти 3D NAND TLC ёмкостью 512 Гбит (64 Гбайт), что на 33% выше чем у предшествующей 96-слойной памяти. В номенклатуре Toshiba этот чип будет называться BiCS-5 (BiCS-4 — 96-слойная, а BiCS-3 — 64-слойная флэш-памяти).

Сообщается, что кристалл BiCS-5 имеет компоновку с четырьмя отдельными секциями или плоскостями (planes), к каждой из которых можно получить независимый доступ. Для сравнения, микросхемы BiCS-3 и BiCS-4 использовали двухплоскостную структуру. В абсолютных значениях это позволило удвоить скорость записи на канал более чем в два раза: с 57 Мбайт/с до 132 Мбайт/с.

Кроме того, в новых микросхемах применяется конструкция Circuit-under-Array (CuA), которая подразумевает расположение логических управляющих схем в нижней плоскости. Благодаря этому размеры кристалла уменьшаются на 15% по сравнению с чипами без CuA.

Также инженерами компаний было принято решение осуществлять доступ к данным страницами по 4 Кбайт для снижения энергопотребления. В существующих накопителях используются страницы по 16 Кбайт.

Старший аналитик Wells Fargo Аарон Рэйкерс (Aaron Rakers) утверждает, что Toshiba и Western Digital смогут предложить самую высокую в индустрии плотность чипа с 85-процентным выходом годных пластин. Коммерческое использование 128-слойных микросхем 3D NAND может начаться уже в следующем году.

Toshiba и Western Digital готовят 128-слойную память 3D NAND
Toshiba и Western Digital готовят 128-слойную память 3D NAND

Источник

Полностью раскрыты технические характеристики OnePlus 7

Полностью раскрыты технические характеристики OnePlus 7Что касается цены, то приводится цифра в 569 долларов США, правда, не ясно, о каком размере памяти идёт речь.

Во втором квартале, как ожидается, состоится официальная презентация флагманского смартфона OnePlus 7. Не дожидаясь анонса, один из сетевых ретейлеров полностью раскрыл технические характеристики этого аппарата.

«Сердце» устройства — процессор Qualcomm Snapdragon 855. В состав чипа входят восемь вычислительных ядер Kryo 485 с тактовой частотой до 2,84 ГГц. Обработкой графики занят мощный ускоритель Adreno 640.

Экран размером 6,5 дюйма по диагонали защищён от повреждений прочным стеклом Corning Gorilla Glass 6. Фронтальная камера выполнена в виде выдвижного модуля-перископа с 16-мегапиксельным сенсором.

В тыльной части расположена тройная камера: её конфигурация, если опубликованные данные верны, предусматривает использование датчиков с 48 млн, 20 млн и 5 млн пикселей.

Объём оперативной памяти LGBPDDR4x достигает 12 Гбайт. Вместимость флеш-накопителя UFS 2.1 — 128 Гбайт или 256 Гбайт. За питание отвечает аккумуляторная батарея ёмкостью 4000 мА·ч.

Указаны габариты и вес — 161,3 × 76,1 × 8,8 мм и 185 граммов. Упомянуты порт USB Type-C и возможность использования двух SIM-карт. Операционная система — OxygenOS на базе Android 9.0 Pie.

Что касается цены, то приводится цифра в 569 долларов США, правда, не ясно, о каком размере памяти идёт речь.

Полностью раскрыты технические характеристики OnePlus 7

Источник

Почему Apple не станет выпускать складной iPhone

Почему Apple не станет выпускать складной iPhoneСкладной смартфон банально невозможно использовать на морозе.

На Международной выставке Mobile World Congress 2019 в Барселоне нам продемонстрировали первые складные смартфоны. Надо отдать должное — подобные устройства выглядят действительно впечатляюще. Но я глубоко убежден, что Apple не последует всеобщему тренду и не станет выпускать свой складной смартфон. И на это есть как минимум несколько причин.

Первый, и пожалуй самый важный пункт — технология производства подобных смартфонов ещё не обкатана. Не подобраны оптимальные материалы корпуса и экрана, не выявлена наиболее практичная и надёжная конструкция. Вдобавок ко всему, корпус не задействует пространство с умом (что особенно заметно на примере Samsung Galaxy Fold). На мой взгляд, всё представленные складные устройства можно назвать лишь прототипами, которые нам хотят «впарить» под видом готового продукта по сумасшедшей цене. И нет никаких сомнений, что Apple не станет выпускать похожий продукт — по крайней мере пока рынок не будет к этому готов, а производство гибких смартфонов не будет отточено до совершенства.

На сегодняшний день у складных смартфонов есть несколько существенных компромиссов:

-Экран из полимерного материала, который по своим свойствам серьезно уступает стеклу. Да, дисплей не разобьется при падении, но о себе довольно быстро дадут знать царапины. Кроме того, такие обязательные аттрибуты как олеофобное и антибликовое покрытие здесь отсутствует как класс;

-Складки и неровности в районе сгиба — подобная проблема совершенно точно есть на Huawei Mate X. И возможно на Galaxy Fold (южнокорейская компания не предоставила тестовые образцы посетителям выставки, поэтому говорить наверняка не стоит). Безусловно, данный недостаток можно устранить — возможно для этого потребуется задействовать эластичный и самовосстанавливающийся полимерный материал;

-Складной смартфон банально невозможно использовать на морозе. Проблема в особой технологии дисплеев — в районе сгиба он может выходить из строя под воздействия низких температур.

-Сама практичность подобных смартфонов под большим вопросом. Маловероятно, что текущая конструкция складных устройств продумана на все 100%. Где гарантия, что смартфон выдержит несколько тысяч сгибаний? Да и программная часть, первое время, будет далека от идеала — разработчикам предстоит много работы.

Безусловно, компания такого масштаба как Apple, может решить все перечисленные проблемы. Более того — у корпорации уже есть соответствующие патенты. Но станет ли она это делать — не знает никто. В Купертино не делают необдуманных решений, и не выпускает на рынок сомнительные решения, только ради того, чтобы быть первыми. Именно за это мы и любим компанию.
Источник