Совершен прорыв в создании процессоров толщиной в атом

Совершен прорыв в создании процессоров толщиной в атом

Международная команда исследователей сообщила об открытии нового метода производства двумерных микрочипов, который может привести к появлению еще более миниатюрных и быстрых полупроводников.

Ученые под руководством профессора Элайзы Райдо продемонстрировали, что литография превосходит обычные методы создания металлических электродов для двумерных полупроводников, таких как дисульфид молибдена. Такие переходные металлы способны вытеснить кремний в производстве чипов размеров с атом. Новый метод, названный термальной сканирующей зондовой литографией (t-SPL), обладает рядом преимуществ перед современной электронно-лучевой литографией.

Во-первых, термальная литография значительно повышает качество двумерных транзисторов, компенсируя барьер Шоттки, препятствующий движению электронов на границе металла и двумерного субстрата.

Также, в отличие от электронно-лучевой литографии, термальная позволяет разработчикам без труда создать образ двухмерного полупроводника, а затем поместить электроды в нужное место.

Кроме того, t-SPL обещает стать более экономичным методом — производство осуществляется в условиях окружающей среды, без необходимости применения высокоэнергетических электронов и сверхвысокого вакуума. Наконец, этот метод можно легко масштабировать для промышленности благодаря использованию параллельных термальных зондов.

Профессор Райдо надеется, что t-SPL поможет отказаться от чистых комнат с дорогим оборудованием, и ученые смогут проводить исследования прямо в лабораториях, быстро создавая и тестируя передовые материалы.

Прошлым летом международная группа физиков сделала важный шаг в разработке двумерных полупроводников, научившись управлять экситонными эффектами в двумерных гетероструктурах. За основу они также взяли другой многообещающий 2D-материал диселенид вольфрамита.

Источник

Samsung представила смартфон Galaxy A9 Pro 2019

Samsung представила смартфон Galaxy A9 Pro 2019Galaxy A9 Pro (2019) сохранил основные особенности Galaxy A8s.

Компания Samsung представила смартфон Galaxy A9 Pro (2019). Он представляет собой международную версию модели Galaxy A8s, вышедшей в Китае в начале января.

Как известно, Galaxy A8s первым из смартфонов Samsung использует экран Infinity-O с врезанной в активную область фронтальной камерой.

Galaxy A9 Pro (2019) сохранил основные особенности Galaxy A8s. Он получил экран диагональю 6,4 дюйма разрешением 2340 х 1080 пикселей с соотношением сторон 19,5:9, тройную основную камеру с датчиками разрешением 24, 10 и 5 Мп, 24-мегапиксельную фронтальную камеру.

В основу легла SoC Qualcomm Snapdragon 710, 6 ГБ оперативной памяти и 128 ГБ на накопителе. Дактилоскопический датчик размещён на задней панели. Ёмкость аккумулятора составляет 3400 мА•ч. Смартфон получил порт USB Type-C, а разъёма 3,5 мм для наушников не предусмотрено. На устройство установлена операционная система Android 8.1 Oreo. Смартфон имеет размеры 158,4 х 74,9 х 7,4 мм и весит 173 г.

Samsung Galaxy A9 Pro (2019) предлагается в голубом, сером и зелёном цветах корпуса. Пока объявлены цены только для Кореи — 533 доллара, продажи начнутся 28 февраля.
Источник

Раскрыт дизайн и характеристики Lenovo Phab 3

Раскрыт дизайн и характеристики Lenovo Phab 3  Вероятно, Lenovo представит новинку в конце февраля

В сети появилась первая информация о фаблете Lenovo Phab 3 с диагональю 7,79 дюйма. Эксклюзивные характеристики и фото опубликовал сайт федеральной комиссии по связи США.

На опубликованной фотографии хорошо видно одинарную основную камеру с LED-вспышкой и сканер отпечатков пальцев, передает 4PDA.

Логотип Dolby Digital намекает на поддержку технологии Dolby Atmos для наушников. Вероятно, гаджет также получит выделенный аудиопроцессор и стереодинамики. Емкость аккумулятора Lenovo Phab 3 составит 5180 мАч.

Появление устройства в базе данных регулятора, как правило, указывает на скорый анонс. Вероятно, Lenovo представит новинку в конце февраля на выставке MWC 2019 в Барселоне.

Раскрыт дизайн и характеристики Lenovo Phab 3

Источник